[发明专利]功率半导体封装结构在审
| 申请号： | 202111520330.X | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114203642A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 梁小广;丁烜明;洪旭;朱荣 | 申请（专利权）人： | 无锡利普思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;H01L23/14;H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 祁春倪 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市市辖区建筑*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体封装结构，包括：pressfit端子、绝缘散热基板、半导体芯片、绑定线、金属底座、底板以及外壳；所述半导体芯片焊接在绝缘散热基座上，所述金属底座的一端焊接有金属片，将金属片焊接在绝缘散热基板上，所述pressfit端子的一端安装金属底座中，所述pressfit端子的另一端延伸出外壳，所述绑定线用于连接各部件，所述绝缘散热基板安装于外壳和底板连接所形成的腔体内部，外壳内部注入绝缘填充介质。本功率半导体封装结构强化了金属底座与绝缘散热底板的连接，防止因为应用环境的振动带来的底座脱落现象。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 封装 结构 | ||
【主权项】：
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