[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111515666.7 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114256200A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;张南平 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孙静;黄健 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决芯片的整体尺寸大，成本高的技术问题，该半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一电容结构和设置在第一电容结构上的第一介质层；第一介质层具有至少一个沟槽，第一电容结构包括上电极，沟槽暴露至少部分上电极；沟槽内具有至少两层金属层和至少一层第二介质层，金属层和第二介质层沿沟槽的深度方向依次交替设置，且第一电容结构的上电极与沟槽中的最底层的金属层连接；至少两层金属层和至少一层第二介质层形成至少一个第二电容结构，第二电容结构与第一电容结构并联连接。本申请能够增大半导体器件的电容，减小芯片的整体尺寸，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111515666.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
