[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、设置在所述衬底上的第一电容结构和设置在所述第一电容结构上的第一介质层；所述第一介质层具有至少一个沟槽，所述第一电容结构包括上电极，所述沟槽暴露至少部分所述上电极；

所述沟槽内具有至少两层金属层和至少一层第二介质层，所述金属层和所述第二介质层沿所述沟槽的深度方向依次交替设置，且所述第一电容结构的上电极与所述沟槽中的最底层的所述金属层连接；

至少两层所述金属层和至少一层所述第二介质层形成至少一个第二电容结构，所述第二电容结构与所述第一电容结构并联连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电容结构还包括下电极和层间介质层，所述层间介质层设置在所述下电极和所述上电极之间；

至少两层金属层包括沿所述沟槽的底部至顶部依次交替设置的第一金属层和第二金属层，各所述第一金属层互连且与所述上电极电连接，各所述第二金属层互连且与所述下电极电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括数个导电通孔，各所述第一金属层通过所述导电通孔互连且与所述上电极电连接，各所述第二金属层通过所述导电通孔互连且与所述下电极电连接；其中，一个所述金属层对应连接一个所述导电通孔。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，各所述导电通孔包括通孔和填充在所述通孔内的金属塞，所述金属塞和所述通孔的孔壁之间还设有阻挡层。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述下电极面向所述层间介质层的表面上具有数个间隔设置的第一凸起和第一凹陷。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述上电极的下表面上与所述第一凹陷和所述第一凸起相对应的位置处具有第二凸起和第二凹陷，所述第二凹陷与所述第一凸起的形状大小相匹配，所述第二凸起与所述第一凹陷的形状大小相匹配。

7.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一电容结构，所述第一电容结构包括上电极；

在所述第一电容结构上形成第一介质层；

去除部分所述第一介质层，形成至少一个沟槽，所述沟槽暴露所述第一电容结构的所述上电极；

在所述沟槽内形成依次交替设置的金属层和第二介质层，所述金属层为至少两层，所述第二介质层为至少一层，且所述沟槽内最底层的所述金属层与所述上电极连接。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述第一电容结构，具体包括：

在所述衬底上形成所述下电极；

在所述下电极上形成第一掩膜层，并图案化所述第一掩膜层；

根据图案化的所述第一掩膜层，去除部分所述下电极，在所述下电极的表面上形成数个间隔设置的第一凸起和第一凹陷；

在图案化的所述下电极上形成层间介质层；

在所述层间介质层上形成上电极。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在图案化的所述下电极上形成层间介质层，具体包括：

对所述下电极在预设温度下退火，以在所述下电极的表面上形成所述下电极的氧化膜，所述氧化膜形成所述层间介质层。

10.根据权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，去除部分所述第一介质层，形成至少一个沟槽，所述沟槽暴露所述第一电容结构的所述上电极，具体包括：

在所述第一介质层上形成第二掩膜层；

图案化第二掩膜层；

根据图案化的所述第二掩膜层去除部分第一介质层，形成至少一个沟槽。