[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111493632.2 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114420669A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 李振亚;王鹏;方玉娇;李昕 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。其中在钨层与焊盘金属层之间形成有过渡层，所述过渡层贴附在钨层的上表面，所述焊盘金属层贴附在过渡层的上表面。过渡层在钨层和焊盘金属层之间起到了过渡作用，可降低较粗糙的钨层表面对焊盘金属层的形貌影响，优化位于钨层上的焊盘金属层的表面形貌，有助于降低后续封测过程的难度，提高封测准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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