[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111493632.2 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114420669A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 李振亚;王鹏;方玉娇;李昕 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体基底，所述半导体基底包括一顶金属层，并且在所述顶金属层上设置有暴露所述顶金属层的通孔；
钨层，所述钨层填充所述通孔并从所述通孔内延伸覆盖在所述半导体基底的顶表面；
焊盘金属层，设置于所述钨层上；以及，
过渡层，贴附在所述钨层的上表面，所述焊盘金属层的下表面贴附在所述过渡层的上表面。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡层包括钛层。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡层包括沿远离所述钨层的方向依次叠加的氮化钛层和钛层。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述焊盘金属层的材料包括金属铝或金属铜。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述通孔的侧表面设置有绝缘层以及覆盖所述绝缘层的粘附层，所述钨层覆盖所述粘附层。
6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底包括一顶金属层，并且在所述顶金属层上设置有暴露所述顶金属层的通孔；
采用CVD工艺在所述半导体基底上沉积钨，以形成钨层，所述钨层填充所述通孔并从所述通孔内延伸覆盖在所述半导体基底的顶表面；以及，
依次在所述钨层上沉积过渡层和焊盘金属层，所述过渡层贴附在所述钨层的上表面，所述焊盘金属层贴附在所述过渡层的上表面。
7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述焊盘金属层的材料包括金属铝或金属铜，所述过渡层的材料包括金属钛。
8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述过渡层包括沿远离所述钨层的方向依次叠加的氮化钛层和钛层。
9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述过渡层仅包括钛层。
10.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述过渡层采用溅射工艺沉积。
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