[发明专利]半导体封装及其形成方法在审
| 申请号： | 202111341829.4 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114497025A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡宜霖;刘乃玮;许文松 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何倚雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装包括第一管芯结构、设置在第一管芯结构上的第一重分布结构、设置在第一重分布结构上的第二管芯结构以及设置在第二管芯结构上的第二重分布结构。第一管芯结构包括中介层，中介层包括半导体基板和穿过半导体基板的通孔。第一集成电路管芯设置在中介层的半导体基板中。第二管芯结构包括封装在密封体中的第二集成电路管芯和穿过密封体的多个导电柱。第一集成电路管芯通过第一重分布结构、导电柱和第二重分布结构电连接到第二集成电路管芯。使用该方案，可以使得第一重分布结构的设计具有较大的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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