[发明专利]半导体封装及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装，其特征在于，包括：第一管芯结构，第一重分布结构，第二管芯结构和第二重分布结构；

所述第一管芯结构，包括：

中介层，包括半导体基板和穿过半导体基板的通孔；以及

第一集成电路管芯，设置在所述中介层的所述半导体基板中；

所述第一重分布结构，设置在所述第一管芯结构上；

所述第二管芯结构，设置在所述第一重分布结构上，所述第二管芯结构包括：

封装在密封体中的第二集成电路管芯；以及

穿过所述密封体的导电柱；以及

所述第二重分布结构，设置在所述第二管芯结构上，

其中所述第一集成电路管芯通过所述第一重分布结构、所述导电柱和所述第二重分布结构电耦接到所述第二集成电路管芯。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一集成电路管芯的主动表面面向所述第一重分布结构，所述第二集成电路管芯的主动表面面向所述第二重分布结构。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一集成电路管芯的背面与所述中介层的半导体基板的底面共面。

4.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一重分布结构与所述中介层的半导体基板的顶面物理接触。

5.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第二集成电路管芯的背面设置在所述第一重分布结构上。

6.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第二管芯结构的导电柱与所述第一重分布结构和所述第二重分布结构物理接触。

7.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一管芯结构的通孔物理接触所述第一重分布结构。

8.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯中的每一个包括：

集成电路器件；

互连结构，耦接到所述集成电路器件；

电介质层，位于所述集成电路器件的上方；以及

接合垫，设置在所述电介质层中，其中所述接合垫电耦接到所述互连结构和所述第一重分布结构。

9.如权利要求8所述的半导体封装，其特征在于，所述接合垫的顶面与所述电介质层的顶面共面。

10.如权利要求8所述的半导体封装，其特征在于，所述第一集成电路管芯的接合垫的顶面物理接触所述第一重分布结构。

11.如权利要求8所述的半导体封装，其特征在于，所述第二集成电路管芯的接合垫的顶面物理接触所述第二重分布结构。

12.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，还包括：

导电连接器，设置在所述中介层的底面上；以及

底部填充层，形成在所述中介层和具有互连迹线的基板之间，其中所述导电连接器位于所述基板和所述第一管芯结构之间。

13.如权利要求12所述的半导体封装，其特征在于，所述第一管芯结构的中介层的通孔通过所述导电连接器电耦接到所述基板的互连迹线。

14.如权利要求12所述的半导体封装，其特征在于，所述第二集成电路管芯的背面与所述密封体的底面共面，且所述密封体的底面与所述第一重分布结构的顶面物理接触。

15.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述第一管芯结构的中介层的半导体基板具有第一导热率，而该第二管芯结构的密封体具有第二导热率，其中所述第一导热率高于所述第二导热率。