[发明专利]碳化硅半导体装置、电力变换装置及碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202111305821.2 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114496935A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 野口智明;中西洋介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L29/78;H01L21/336;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，在碳化硅半导体装置中，对阈值电压的变动进行抑制，对阻挡金属处的裂缝的产生进行抑制。碳化硅半导体装置(101)具有：碳化硅基板(11)；半导体层(12)，其形成于碳化硅基板(11)之上；栅极电极(18)，其隔着栅极绝缘膜(26)与半导体层(12)相对；层间绝缘膜(19)，其将栅极电极(18)覆盖；阻挡金属，其形成于层间绝缘膜(19)之上；以及上表面电极，其将阻挡金属覆盖，阻挡金属是由阻挡金属(21)和阻挡金属(22)构成的两层构造，层间绝缘膜(19)侧的阻挡金属(21)由与阻挡金属(22)相同的金属构成，与阻挡金属(22)相比厚度小。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 电力 变换 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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