[发明专利]半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备在审
| 申请号： | 202111254368.7 | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN113990868A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 颜丙杰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234;H01L25/18;H01L27/11529;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备，半导体器件包括：基底，基底表面上凸出形成至少两个间隔设置的鳍片；覆盖鳍片的顶壁和侧壁的栅极层；位于栅极层背离鳍片侧壁的侧表面上的第一绝缘层；以及，位于第一绝缘层背离栅极层的侧表面上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层的介电常数小于第二绝缘层的介电常数，从而，在半导体器件中的FinFET尺寸缩小时，能够减小相邻FinFET的栅极之间的寄生电容，进而提高FinFET的产品性能，有利于减小存储器尺寸，并提高存储器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 存储器 存储系统 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
