[发明专利]半导体器件及其制作方法、存储器、存储系统及电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底表面上凸出形成至少两个间隔设置的鳍片；

栅极层，覆盖所述鳍片的顶壁和侧壁；

第一绝缘层，位于所述栅极层背离所述鳍片侧壁的侧表面上；以及，

第二绝缘层，位于所述第一绝缘层背离所述栅极层的侧表面上；

其中，所述第一绝缘层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层相对于所述基底表面的高度小于所述栅极层相对于所述基底表面的高度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，位于相邻两个所述鳍片之间的所述第二绝缘层连接为一整体。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，位于相邻两个所述鳍片之间的所述第一绝缘层连接为一整体。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二绝缘层的材料包括氮化硅。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括设于所述鳍片上的源极和漏极，所述栅极层不覆盖所述源极和所述漏极，且所述源极和所述漏极分别位于所述栅极层的相对两侧。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括设于所述鳍片上的轻掺杂源极和轻掺杂漏极，所述栅极层不覆盖所述轻掺杂源极和所述轻掺杂漏极，所述轻掺杂源极和所述轻掺杂漏极分别位于所述栅极层的相对两侧，且所述轻掺杂源极位于所述栅极层与所述源极之间，所述轻掺杂漏极位于所述栅极层与所述漏极之间。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括设置于所述基底表面上且位于所述鳍片周边的隔离层，所述隔离层相对于所述基底表面的高度小于所述鳍片相对于所述基底表面的高度。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述栅极层和所述鳍片之间的栅绝缘层。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述基底表面上凸出形成多个间隔设置的鳍片时，所述多个间隔设置的鳍片等间隔分布。

12.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底表面上凸出形成至少两个间隔设置的鳍片；

形成覆盖所述鳍片的顶壁和侧壁的栅极层；

在所述栅极层背离所述鳍片侧壁的侧表面上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层背离所述栅极层的侧表面上形成第二绝缘层，所述第一绝缘层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述栅极层背离所述鳍片侧壁的侧表面上形成第一绝缘层，具体包括：

在所述基底表面上形成覆盖所述栅极层的第一绝缘材料层；

去除位于所述基底表面上的所述第一绝缘材料层、以及位于所述栅极层背离所述鳍片顶壁的顶表面上的所述第一绝缘材料层，并至少保留部分所述第一绝缘材料层，保留的所述第一绝缘材料层位于所述栅极层背离所述鳍片侧壁的侧表面上，以得到第一绝缘层。