[发明专利]一种半导体结构在审
| 申请号： | 202111096465.8 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN115831938A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 王锦喆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 樊文娜;刘荣娟 |
| 地址： | 100176 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请技术方案提供一种半导体结构，包括至少一个电容沟槽单元，电容沟槽单元包括：位于半导体衬底中的若干电容沟槽组，若干电容沟槽组围绕一特定位置排布，每一电容沟槽组包括至少两个平行设置的电容沟槽；每一电容沟槽中均形成有包括上电极、中电极和下电极的电容器结构；其中，下电极连续覆盖于电容沟槽内壁、电容沟槽之间的半导体衬底以及电容沟槽组两侧的部分半导体衬底上；中电极位于部分下电极上且在任一电容沟槽组内连续分布，并在每一电容沟槽组的两侧与下电极呈第一阶梯状；上电极位于部分中电极上且在任一电容沟槽组内连续分布，并在每一电容沟槽组的两侧与中电极呈第二阶梯状。本申请技术方案的半导体结构具有较低的ESR。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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