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[发明专利]一种半导体结构-CN202111517483.9在审
发明人： 王锦喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构，包括至少一个电容器单元，所述电容器单元包括：半导体衬底；电容沟槽，连续地分布于所述半导体衬底中，且所述电容沟槽将所述半导体衬底分隔成多个多面柱体，所述电容沟槽中形成有包括下电极、中电极和上电极的电容器结构；其中，所述下电极连续覆盖于所述电容沟槽内壁及所述半导体衬底上；所述中电极位于部分所述下电极上，并在所述电容沟槽的两侧与所述下电极呈第一阶梯状；所述上电极位于部分所述中电极上，并在所述电容沟槽的两侧与所述中电极呈第二阶梯状。本申请技术方案的半导体结构在具有较大容值的同时，还兼具较低的ESR。
一种半导体结构

[发明专利]转接板及其形成方法、封装结构以及掩膜版版图-CN202111253724.3在审
发明人： 王锦喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种转接板及其形成方法、以及掩膜版版图，方法包括：在电容单元区中，在上电极的顶部形成贯穿第一介质层的第一电极插塞，第一电极插塞的形状为条形，且第一电极插塞沿第二方向延伸；在子电容区中，在上电极露出的下电极的顶部形成贯穿第一介质层的第二电极插塞，第二电极插塞的形状为梳状，第二电极插塞包括第一梳柄部以及与第一梳柄部相连的第一梳齿部，第一梳柄部位于第一电极插塞靠近电容区边界处的一侧并沿第一方向横穿电容区，第一梳齿部位于电容单元区的两侧。从增大接触面积以及缩短电流传输路径两方面，使得转接板中的电容器的阻抗下降，从而提高转接板的性能。
转接及其形成方法封装结构以及掩膜版版图

[发明专利]一种半导体结构-CN202111096465.8在审
发明人： 王锦喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构，包括至少一个电容沟槽单元，电容沟槽单元包括：位于半导体衬底中的若干电容沟槽组，若干电容沟槽组围绕一特定位置排布，每一电容沟槽组包括至少两个平行设置的电容沟槽；每一电容沟槽中均形成有包括上电极、中电极和下电极的电容器结构；其中，下电极连续覆盖于电容沟槽内壁、电容沟槽之间的半导体衬底以及电容沟槽组两侧的部分半导体衬底上；中电极位于部分下电极上且在任一电容沟槽组内连续分布，并在每一电容沟槽组的两侧与下电极呈第一阶梯状；上电极位于部分中电极上且在任一电容沟槽组内连续分布，并在每一电容沟槽组的两侧与中电极呈第二阶梯状。本申请技术方案的半导体结构具有较低的ESR。
一种半导体结构

[发明专利]一种半导体结构-CN202111091251.1在审
发明人： 王锦喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构，包括至少一个电容沟槽单元，电容沟槽单元包括：位于半导体衬底中的若干电容沟槽组，每一电容沟槽组包括电容沟槽；每一电容沟槽中都形成有包括上电极、中电极和下电极；其中，下电极连续覆盖于电容沟槽内壁、电容沟槽之间的半导体衬底以及电容沟槽组两侧的部分半导体衬底上；中电极位于部分下电极上且在任一电容沟槽组内连续分布，并在每一电容沟槽组的两侧与下电极呈第一阶梯状；上电极位于部分中电极上且在任一电容沟槽组内连续分布，并在每一电容沟槽组的外侧与中电极的侧壁位于同一平面，而在每一电容沟槽组的内侧与中电极呈第二阶梯状。本申请技术方案的半导体结构具有较低的ESR。
一种半导体结构

[发明专利]硅通孔的测试结构及测试方法-CN202110225048.2在审
发明人： 王锦喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供一种硅通孔的测试结构及测试方法，所述测试结构包括：半导体衬底；至少一种参考测试单元，位于所述半导体衬底中，用于输出测试数据，包括参考测试沟槽电容组以及硅通孔结构，其中所述参考测试沟槽电容组环绕所述硅通孔结构分布；基准测试单元，位于所述半导体衬底中，用于输出基准数据，包括基准测试沟槽电容组，所述基准测试沟槽电容组与所述参考测试沟槽电容组的结构相同。所述测试结构及测试方法可以监测TSV制备中对介电层产生的工艺影响，通过测试衬底和TSV间的电阻、电容和漏电流大小，来推算TSV隔离层的电性厚度及隔绝能力等性能，有助于制程出现问题时的辅助失效分析。
硅通孔测试结构方法

[发明专利]互连电路结构-CN202110074150.7在审
发明人： 王锦喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请提供一种互连电路结构，用于深沟槽电容器，所述深沟槽电容器包括电容沟槽组，包括：前层互连导线，包括：第一前层互连导线，位于所述电容沟槽组的侧上方且与所述电容沟槽组的延伸方向相同；多条第二前层互连导线，位于所述电容沟槽组上且在所述电容沟槽组的延伸方向间隔排布，所述第二前层互连导线横跨所述电容沟槽组且一端与所述第一前层互连导线相连；后层互连导线，位于所述第二前层互连导线和部分所述第一前层互连导线上；若干贯穿导线，排布于所述前层互连导线和后层互连导线之间，形成迂回的互连电路结构。本申请技术方案的互连电路结构可以改善深沟槽电容器在高频下的性能，提高深沟槽电容器的高频适配性。
互连电路结构

[发明专利]一种半导体结构-CN202110113838.1在审
发明人： 王锦喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构，包括：半导体衬底；硅通孔结构，位于所述半导体衬底中，所述硅通孔结构具有第一侧；至少一个第一电容沟槽单元，竖直分布于所述第一侧的半导体衬底中，所述第一电容沟槽单元包括若干平行电容沟槽组和若干倾斜电容沟槽组，其中，与所述硅通孔结构相对的电容沟槽组为倾斜电容沟槽组。本申请技术方案的半导体结构能够解决制作过程中TSV处的局部应力问题，实现2.5D Interposer中DTC和TSV的集成制造。
一种半导体结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011550885.4在审
发明人： 王锦喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底；电容沟槽单元，位于所述半导体衬底中，所述电容沟槽单元包括一个或多个按照特定版图分布的电容沟槽组，所述电容沟槽组包括多个电容沟槽；应力沟槽，位于所述半导体衬底中，并环绕所述电容沟槽单元设置。本申请技术方案的半导体结构及其形成方法可能有效解决深沟槽电容制程中半导体衬底的形变问题。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种多线圈电流控制的均匀性调节方法-CN201810754665.X有效
发明人： 王锦喆;李冠稼 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01J37/302 文献下载
摘要：本发明阐述了一种多线圈电流控制的均匀性调节方法，其特征在于调节9个通电线圈的电流值改变磁场分布，来调节束流整体的均匀性。本方法包括：测量线圈未通电的束流base值(1)、9个线圈分别加相同的电流测量每一的次束流值(2)、根据测量结果算出线圈的影响范围和电流影响的幅度关系(3)、根据束流均值反解出每个线圈电流值(4)、上机验证调节效果(5)。
一种线圈电流控制均匀调节方法

[发明专利]一种二自由度电扫描装置-CN201810754734.7有效
发明人：马国宇;王锦喆 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二自由度电扫描装置，用于将斑点状离子束扫描成水平条形发散离子束，所述装置包括，基板(1)，将电扫描装置安装在真空腔体上并具有真空密封作用；左扫描电极(2)与右扫描电极(6)成对使用，分别在两个扫描电极上施加不同的变化电压，这样离子束被水平扫开；通过在抑制电极(4)上施加负电压用于阻止二次电子向前传输；真空电极(5)用于真空腔室内外电压传输，在真空内分别连接两个扫描电极，在大气端连接扫描电源；驱动装置(3)和驱动装置(7)可以控制两个扫描电极相对束流中心做相向运动，同时还可以驱动两个扫描电极相对基板(1)同时前后移动。
一种自由度扫描装置

[发明专利]电容结构及其形成方法-CN202010202321.5在审
发明人： 王锦喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请提供一种电容结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成沟槽，所述沟槽中具有由部分半导体衬底构成的若干分立的柱状结构，所述若干柱状结构呈阵列式分布；在所述半导体衬底的顶部表面、所述沟槽的侧壁表面和底部表面、以及所述柱状结构的侧壁表面和顶部表面形成第一电极层；在所述第一电极层表面形成介电层；在所述介电层表面形成第二电极层，所述第二电极层填满柱状结构周围的所述沟槽。所述方法提高了电容结构静电容量、耐击穿电压性，实现了高密度硅电容器制造。
电容结构及其形成方法

[发明专利]一种静电吸盘及其制造方法-CN201510023342.X有效
发明人： 王锦喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电吸盘及其制造方法，所述制造方法包括步骤：提供一冷却基座，于所述冷却基座上制作包含有依次层叠的导热胶、绝缘层、电极层、电介质层、以及碳化层的多层结构，其中，将形成有电极层的电介质层进行一次烧结后再与绝缘层进行二次烧结，实现原子间的结合。本发明的静电吸盘的加工工艺与传统的加工工艺相比大大提高了其粘合强度，由于采用陶瓷烧结工艺，使得静电吸盘气泡的存在大大降低，从而可以有效降低废品率。
一种静电吸盘及其制造方法

[发明专利]一种晶片角度校准方法-CN201410314289.4有效
发明人：李兴华;王振辉;王锦喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片角度校准方法，至少包括以下步骤S1选取一待测晶片；S2对所述待测晶片进行离子注入；S3测量所述待测晶片上关于X轴对称的至少两行点的参数值及关于Y轴对称的至少两列点的参数值，其中，每行点及每列点中均包括至少两个量测点；S4根据测得的所述待测晶片上关于X轴对称的至少两行点的所述参数值的平均值差值确定所述待测晶片绕Y轴偏转的角度α；根据测得的关于Y轴对称的至少两列点的参数值的平均值差值确定所述待测晶片绕X轴偏转的角度β；S5根据所述角度α与所述角度β对所述待测晶片进行角度校准。本发明的晶片角度校准方法仅需一片晶片，不仅可以降低成本，还可以提高晶片角度测量结果的准确性。
一种晶片角度校准方法

[实用新型]放电检测电路-CN201520684701.1有效
发明人：李兴华;王振辉;王锦喆;许志俊;臧俊敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： G01R31/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种放电检测电路，包括电平比较单元和脉冲输出单元，通过电平比较单元对电流监控输出端的电压和预定电压进行比较，当所述电流监控输出端的电压超过所述预定电压时电平比较单元的输出电平翻转，而脉冲输出单元检测电平比较单元输出电平的翻转以检测所述电流监控输出端是否有放电。本实用新型能够仅由两个电路模块实现电源放电的检测，提高了电路的抗干扰能力，也简化了放电检测电路的实现。
放电检测电路

[实用新型]离子注入角度测量装置及离子注入系统-CN201420585667.8有效
发明人： 王锦喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种离子注入角度测量装置及离子注入系统，离子注入角度测量装置至少包括：第一阵列结构、第二阵列结构、地线和安培表；所述第一阵列结构中包括多个沿横向分布的法拉第杯，且相邻法拉第杯之间形成有相同角度的夹角；所述第二阵列结构中包括多个沿纵向分布的法拉第杯，且相邻法拉第杯之间形成有相同角度的夹角；所述离子注入角度测量装置不需要其他操作即可以同时对离子束不同方向的注入角度进行测量，操作简单，测量精度高；同时可以根据实际工艺的需要调整法拉第杯的数量及相邻法拉第之间的夹角，提高测量的精确度；所述离子注入系统可以在所述离子注入角度测量装置测量离子注入角度后实时地对离子注入角度进行调整补偿。
离子注入角度测量装置系统

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