[发明专利]一种半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括至少一个电容沟槽单元，所述电容沟槽单元包括：

位于半导体衬底中的若干电容沟槽组，若干所述电容沟槽组围绕一特定位置排布，每一所述电容沟槽组包括至少两个平行设置的电容沟槽；

每一所述电容沟槽中均形成有包括上电极、中电极和下电极的电容器结构；其中，

所述下电极连续覆盖于所述电容沟槽内壁、所述电容沟槽之间的半导体衬底以及所述电容沟槽组两侧的部分所述半导体衬底上；

所述中电极位于部分所述下电极上且在任一电容沟槽组内连续分布，并在每一所述电容沟槽组的两侧与所述下电极呈第一阶梯状；

所述上电极位于部分所述中电极上且在任一电容沟槽组内连续分布，并在每一所述电容沟槽组的两侧与所述中电极呈第二阶梯状。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容沟槽组均倾斜设置，其中对位的电容沟槽组的倾斜方向相同，邻位的电容沟槽组的倾斜方向垂直。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在同一电容沟槽组中，所述电容沟槽按照长度大小依次间隔排列。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在每一所述电容沟槽组上的部分上电极表面还形成有第一引线层；在每一电容沟槽组两侧的第二阶梯状位置处的部分中电极表面还形成有第二引线层；在每一所述电容沟槽组两侧的第一阶梯状位置处的部分下电极表面还形成有第三引线层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一引线层横跨相应的电容沟槽组内的所有或部分电容沟槽。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一引线层的宽度为0.2μm-0.6μm，长度为5μm-20um。

7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，在每一电容沟槽组外侧，所述第二引线层的宽度为0.2μm-0.6μm，长度为5μm-30μm。

8.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，在每一电容沟槽组内侧，所述第二引线层的宽度为0.2μm-0.6μm，长度为1μm-5μm。

9.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，同一所述电容沟槽单元中各电容沟槽组的内侧共用一第三引线层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，各电容沟槽组的内侧共用的第三引线层的长度和宽度为0.3μm-0.6μm。

11.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，每一电容沟槽组外侧的第三引线层的宽度为0.2μm-0.6μm，长度为5μm-30μm。

12.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述电容沟槽单元的相邻电容沟槽组的外侧共用一第三引线层。

13.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一引线层、第二引线层及第三引线层的顶面共面。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一引线层、第二引线层及第三引线层的表面均形成有导体层。

15.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述下电极与所述半导体衬底之间还包括第一介电层，所述下电极与所述中电极之间还包括第二介电层，所述中电极与所述上电极之间还包括第三介电层。