[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202111006058.3 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN116133386A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 邵光速;袁盼;吴敏敏 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨泽;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的性能较差技术问题，该制作方法包括：提供衬底，衬底包括依次层叠设置的第一半导体材料层、硅锗化合物层和第二半导体材料层；在衬底内形成沿第一方向延伸的第一沟槽和沿第二方向延伸的第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽将衬底分隔成多个间隔设置的柱状结构；对柱状结构进行掺杂，硅锗化合物层形成沟道区；在每个柱状结构的外周面上形成介质层，以及位于介质层的外周面上形成栅极，栅极与至少部分沟道区相对。利用硅锗化合物层形成沟道区，可以提高沟道区中的电子迁移率，并改善短沟道效应，提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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