[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111001404.9 | 申请日： | 2021-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115732467A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 张永会 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 鲁盛楠 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底，衬底包括相对设置的第一侧和第二侧；介电层，设置在衬底的第一侧；第一硅穿孔结构，第一硅穿孔结构自介电层的顶面向衬底的第一侧延伸；第二硅穿孔结构，第二硅穿孔结构自衬底的第二侧向衬底的第一侧延伸，第二硅穿孔结构在衬底的第一侧处接触第一硅穿孔结构，第二硅穿孔结构具有预设的开口宽度。本公开实施例所提供的半导体结构及其形成方法中，第一硅穿孔结构和第二硅穿孔结构形成贯穿半导体结构中的两段式结构，减小了第一硅穿孔结构和第二硅穿孔结构的制程长度，减小了第一硅穿孔结构和第二硅穿孔结构的尺寸，以及提高了稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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