[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110984556.9 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN116133381A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 邵光速;肖德元;白卫平;邱云松 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 成亚婷 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：在基底上形成第一浅沟槽隔离结构。第一浅沟槽隔离结构在基底内隔离出沿第一方向延伸的多个有源区，第一浅沟槽隔离结构包括由下至上依次叠置的牺牲层及第一介质层。在基底内形成多个字线隔离槽，字线隔离槽位于牺牲层的上方，且沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交。在字线隔离槽的侧壁形成第二介质层，第二介质层内侧具有贯通至基底的孔隙。基于所述孔隙，将有源区的下部进行金属化以形成位线，位线沿第一方向延伸。基于所述孔隙，去除牺牲层，以在相邻位线之间形成气隙。所述制备方法能够减小线间寄生电容，有效提升半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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