[发明专利]功率半导体模块装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110930171.4 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN114078790A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | M·诺曼;E·茨瓦尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29;H01L25/07;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容涉及功率半导体模块装置及其制造方法。一种功率半导体模块装置(100)包括：衬底(10)，包括电介质绝缘层(11)和附着到电介质绝缘层(11)的第一金属化层(111)；至少一个半导体主体(20)，安装在第一金属化层(111)上；以及第一层，包括密封剂(5)，第一层布置在衬底(10)上并且覆盖第一金属化层(111)和至少一个半导体主体(20)，其中，第一层被配置为在超过定义的阈值温度的温度下释放液体或油。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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