[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明涉及一种实现高集成化的半导体存储装置，具备：第1导电层，沿着第1方向延伸；第2导电层，在与第1方向交叉的第2方向上从第1导电层分离地配置，沿着第1方向延伸；多个半导体层，设置在第1导电层与第2导电层之间，具备在第1方向上排列的与第1导电层对置的第1区域、与第2导电层对置的第2区域、与第1区域的第1方向的一端及第2区域的第1方向的一端连接的第3区域、以及与第1区域的第1方向的另一端及第2区域的第1方向的另一端连接的第4区域；多个第1存储元件，分别设置在第1导电层与多个半导体层之间；以及多个第2存储元件，分别设置在第2导电层与多个半导体层之间。在第1方向上相邻的两个半导体层之间设置有空隙。