[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1导电层，沿着第1方向延伸；

第2导电层，在与上述第1方向交叉的第2方向上从上述第1导电层分离地配置，沿着上述第1方向延伸；

多个半导体层，设置在上述第1导电层与上述第2导电层之间，具备在上述第1方向上排列的、与上述第1导电层对置的第1区域、与上述第2导电层对置的第2区域、与上述第1区域的上述第1方向的一端及上述第2区域的上述第1方向的一端连接的第3区域、以及与上述第1区域的上述第1方向的另一端及上述第2区域的上述第1方向的另一端连接的第4区域；

多个第1存储元件，分别设置在上述第1导电层与上述多个半导体层之间；以及

多个第2存储元件，分别设置在上述第2导电层与上述多个半导体层之间，

在上述第1方向上相邻的两个上述半导体层之间设置有空隙。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

在与上述第1方向以及上述第2方向交叉的第3方向上，排列设置有多个上述第1导电层以及上述第2导电层。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，

上述第1区域沿着上述第3方向延伸，并在上述第2方向上与多个上述第1导电层对置，上述第2区域沿着上述第3方向延伸，并在上述第2方向上与多个上述第2导电层对置。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

在上述第1区域与上述第2区域之间设置有空隙。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，

在上述第3区域与上述第4区域之间设置有空隙。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，

当将上述多个半导体层中的在上述第1方向上相邻的两个半导体层设为第1半导体层以及第2半导体层时，

在上述第1半导体层所具备的上述第3区域与上述第2半导体层所具备的上述第4区域之间设置有空隙。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体存储装置，具备：

多个第1电荷蓄积层，分别设置在上述第1导电层与上述多个半导体层之间；以及

多个第2电荷蓄积层，分别设置在上述第2导电层与上述多个半导体层之间，

在上述第1方向上相邻的两个上述第1电荷蓄积层在上述第1方向上分离，在上述第1方向上相邻的两个上述第2电荷蓄积层在上述第1方向上分离。