[发明专利]半导体硅化钴膜层的制造方法、半导体器件及存储器有效
| 申请号： | 202110906924.8 | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN113629009B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 韦钧;夏欢;王梓杰;闫冬 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/532;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体硅化钴膜层的制造方法、半导体器件及存储器，属于半导体技术领域。该方法包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括阵列区和位于所述阵列区外围的外围区；于所述阵列区形成第一接触区；于所述外围区形成第二接触区；于所述第一接触区表面执行第一沉积，形成第一钴层，于所述第二接触区表面执行第二沉积，形成第二钴层；其中，所述第一接触区表面钴的覆盖率高于所述第二接触区表面钴的覆盖率。该方法可在阵列区和外围区形成满足各自需求的钴层，从而在保证阵列区均匀性的同时，也能降低外围区的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硅化钴膜层 制造 方法 半导体器件 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
