[发明专利]半导体硅化钴膜层的制造方法、半导体器件及存储器

权利要求书

1.一种半导体硅化钴膜层的制造方法，其特征在于，包括：

提供硅衬底，所述硅衬底包括阵列区和位于所述阵列区外围的外围区；

于所述阵列区形成第一接触区；

于所述外围区形成第二接触区；

于所述第一接触区表面执行第一沉积，形成第一钴层，于所述第二接触区表面执行第二沉积，形成第二钴层；

其中，所述第一接触区表面钴的覆盖率高于所述第二接触区表面钴的覆盖率。

2.根据权利要求1所述的半导体硅化钴膜层的制造方法，其特征在于，于所述阵列区形成第一接触区包括：

于所述阵列区形成隔离结构和被所述隔离结构间隔开的多晶硅插塞，所述隔离结构凸出于所述硅衬底的表面，所述多晶硅插塞的顶表面低于所述隔离结构的顶表面；

其中，所述阵列区的所述硅衬底内形成有有源区，所述多晶硅插塞靠近所述硅衬底的一端与所述有源区接触，所述多晶硅插塞的顶表面形成所述第一接触区。

3.根据权利要求1所述的半导体硅化钴膜层的制造方法，其特征在于，于所述外围区形成第二接触区包括：

于所述外围区形成外围器件，所述外围器件包括晶体管，所述晶体管包括形成于所述硅衬底内的源极、漏极，以及形成于所述硅衬底表面的栅极；

暴露所述晶体管的源极、漏极或栅极，所述源极、所述漏极或/和所述栅极被暴露出的表面形成所述第二接触区。

4.根据权利要求1所述的半导体硅化钴膜层的制造方法，其特征在于，于所述第一接触区表面执行第一沉积，形成第一钴层，于所述第二接触区表面执行第二沉积，形成第二钴层包括：

于所述阵列区沉积形成第一阻挡膜层，所述第一阻挡膜层至少覆盖所述第一接触区；

于所述第二接触区表面执行所述第二沉积，形成所述第二钴层；

去除所述第一阻挡膜层，以暴露所述第一接触区；

于所述外围区形成第二阻挡膜层，所述第二阻挡膜层形成于所述第二钴层背离所述硅衬底的一侧，所述第二阻挡膜层在所述硅衬底上的正投影至少覆盖所述第二钴层在所述硅衬底上的正投影；

于所述第一接触区表面执行所述第一沉积，形成所述第一钴层。

5.根据权利要求1所述的半导体硅化钴膜层的制造方法，其特征在于，于所述第一接触区表面执行第一沉积，形成第一钴层，于所述第二接触区表面执行第二沉积，形成第二钴层包括：

于所述外围区沉积形成第二阻挡膜层，所述第二阻挡膜层至少覆盖所述第二接触区；

于所述第一接触区表面执行所述第一沉积，沉积形成所述第一钴层；

去除所述第二阻挡膜层，以暴露所述第二接触区；

于所述阵列区形成第一阻挡膜层，所述第二阻挡膜层形成于所述第一钴层背离所述硅衬底的一侧，所述第二阻挡膜层在所述硅衬底上的正投影至少覆盖所述所述第一钴层在所述硅衬底上的正投影；

于所述第二接触区表面执行第二沉积，形成所述第二钴层。

6.根据权利要求4或5所述的半导体硅化钴膜层的制造方法，其特征在于，所述第一沉积的沉积温度为400-500℃，沉积偏压为200-400w。

7.根据权利要求4或5所述的半导体硅化钴膜层的制造方法，其特征在于，所述第二沉积的沉积温度为20-26℃，沉积偏压为0-10w。

8.根据权利要求4或5所述的半导体硅化钴膜层的制造方法，其特征在于，沉积形成的所述第一钴层的厚度为9-10nm，沉积形成的所述第二钴层的厚度为2-5nm。

9.根据权利要求4或5所述的半导体硅化钴膜层的制造方法，其特征在于，于所述第二接触区表面执行所述第二沉积，形成所述第二钴层之后还包括：

于所述第二钴层背离所述硅衬底的一侧形成第二保护层，所述第二保护层至少覆盖所述第二钴层的表面。