[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；第一介质层、若干栅极结构以及若干源漏掺杂层；位于第一介质层和栅极结构上的第二介质层；位于第二介质层内的栅极导电层、以及位于栅极导电层上的保护层；位于第一介质层和第二介质层内的第一源漏导电开口；位于第一源漏导电开口内的第一源漏导电层，第一源漏导电层与源漏掺杂层电连接。通过先形成栅极导电层，之后再形成第一源漏导电层，使栅极导电层对应的栅极导电开口在刻蚀形成的过程中，不会受到自对准膜层的刻蚀限制而具有较大的空间，进而使得形成的栅极导电层的体积增大，能够有效降低栅极导电层和栅极结构之间的接触电阻，以此提升最终形成的半导体结构的性能。