[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的鳍部；

位于所述衬底上的隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面；

位于所述隔离层上的若干栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部，且覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面；

位于所述栅极结构两侧鳍部内的源漏掺杂层；

位于所述隔离层上的第一介质层，所述第一介质层覆盖所述栅极结构的侧壁，且暴露出所述栅极结构的顶部表面；

位于所述第一介质层和所述栅极结构上的第二介质层；

位于所述第二介质层内的栅极导电开口，所述栅极导电开口暴露出所述栅极结构的顶部表面，且所述栅极结构在所述衬底表面的投影位于所述栅极导电开口在所述衬底表面的投影内；

位于所述栅极导电开口内的栅极导电层；

位于所述第一介质层和所述第二介质层内的第一源漏导电开口；

位于所述第一源漏导电开口内的第一源漏导电层，所述第一源漏导电层与所述源漏掺杂层电连接，且所述第一源漏导电层与所述栅极导电层之间电学隔离。

2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一介质层内的第二源漏导电开口，所述第二源漏导电开口位于所述栅极结构两侧，且所述第二源漏导电开口暴露出所述源漏掺杂层；位于所述第二源漏导电开口内的第二源漏导电层，所述第二源漏导电层与所述源漏掺杂层表面，且所述第二源漏导电层的顶部表面低于所述第一介质层的顶部表面。

3.如权利要求2所述半导体结构，其特征在于，所述第一源漏导电层位于所述第二源漏导电层表面。

4.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第二介质层还位于所述第二源漏导电开口内。

5.如权利要求4所述半导体结构，其特征在于，以位于所述第一源漏导电开口侧壁与所述栅极导电层和所述栅极结构之间的第一介质层和第二介质层作为电隔离层，通过所述电隔离层实现所述第一源漏导电层与所述栅极导电层之间电学隔离。

6.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述保护层的材料与所述第二介质层的材料不同；所述保护层的材料包括氮化硅或碳化硅；所述第二介质层的材料包括氧化硅。

7.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅极层，且所述栅极层的材料包括金属。

8.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述栅极导电开口上的保护层开口；位于所述保护层开口内的保护层，所述保护层位于所述栅极导电层上，且所述栅极导电层在所述衬底表面上的投影位于所述保护层在所述衬底表面上的投影内。

9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的鳍部；

在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面；

形成第一介质层、若干栅极结构以及若干源漏掺杂层，所述栅极结构位于所述隔离层上，所述源漏掺杂层位于所述栅极结构两侧的鳍部内，且所述源漏掺杂层还位于相邻的所述栅极结构之间，所述第一介质层覆盖所述栅极结构的侧壁，且暴露出所述栅极结构的顶部表面；

在所述第一介质层和所述栅极结构上形成第二介质层；

在所述第二介质层内形成栅极导电开口，所述栅极导电开口暴露出所述栅极结构的顶部表面，且所述栅极结构在所述衬底表面的投影位于所述栅极导电开口在所述衬底表面的投影内；

在所述栅极导电开口形成的栅极导电层；

在所述第一介质层和所述第二介质层内形成第一源漏导电开口；

在所述第一源漏导电开口内形成第一源漏导电层，所述第一源漏导电层与所述源漏掺杂层电连接，且所述第一源漏导电层与所述栅极导电层之间电学隔离。