[发明专利]掩膜版及其制备方法、半导体结构制备方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202110859148.0 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN115692168A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王超星;杨鹏远;王建冲;吕天龙 | 申请（专利权）人： | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈敏;吴昊 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种掩膜版及其制备方法、半导体结构制备方法及半导体结构，该掩膜版用于在基底上方形成图形化的目标膜层，该掩膜版包括：金属掩膜层；设置于所述金属掩膜层与所述基底之间的胶膜，用于将所述金属掩膜层与所述基底粘结固定；所述金属掩膜层上的第一开口在所述基底上的正投影与所述胶膜上的第二开口在所述基底上的正投影至少部分重叠；且所述第一开口在所述基底上的正投影和所述第二开口在所述基底上的正投影的重叠部分与所述目标膜层在所述基底上的正投影重合。该掩膜版通过多层结构的掩膜的设计，可以简化目标膜层的制备工艺，减少目标膜层的制备时间，防止基底被污染，且同时保持图形较高的尺寸精度。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 及其 制备 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京华卓精科科技股份有限公司，未经北京华卓精科科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110859148.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
