[发明专利]半导体结构的制作方法有效
| 申请号： | 202110785220.X | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113506776B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 吴锋 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L21/033 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的制作方法，包括：提供基片，基片包括衬底与掩膜层，衬底内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构将衬底隔离出多个间隔排布的有源区，掩膜层位于衬底上，且包括至少一层膜层，且基片具有位线接触原始孔，位线接触原始孔自掩膜层表面延伸至有源区内；于位线接触原始孔内填充牺牲掩膜；基于牺牲掩膜去除至少一层掩膜层，剩余的位线接触原始孔构成位线接触孔；去除牺牲掩膜；形成位线接触材料层，位线接触材料层填充位线接触孔，且用于形成位线接触结构。本申请可以有效降低位线接触结构之中的缝隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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