[发明专利]半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基片，所述基片包括衬底与掩膜层，所述衬底内形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述衬底隔离出多个间隔排布的有源区，所述掩膜层位于所述衬底上，且包括至少一层膜层，且所述基片具有位线接触原始孔，所述位线接触原始孔自所述掩膜层表面延伸至所述有源区内；

于所述位线接触原始孔内填充牺牲掩膜；

基于所述牺牲掩膜去除至少一层所述掩膜层，剩余的所述位线接触原始孔构成位线接触孔，剩余的所述位线接触原始孔构成的位线接触孔的深度低于原位线接触原始孔的深度；

去除所述牺牲掩膜；

形成位线接触材料层，所述位线接触材料层填充所述位线接触孔，且用于形成位线接触结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述基片的形成方法包括：

提供所述衬底；

于所述衬底上形成掩膜材料层；

对所述掩膜材料层进行图形化以形成所述掩膜层，所述掩膜层内形成有开口，所述开口定义出所述位线接触原始孔的位置及形状；

基于所述掩膜层进行刻蚀，以形成所述位线接触原始孔。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，

所述于所述衬底上形成掩膜材料层之前，还包括：

于所述衬底上形成隔离材料层；

所述基于所述掩膜层进行刻蚀，以形成所述位线接触原始孔，包括：

基于所述掩膜层刻蚀所述隔离材料层，剩余的所述隔离材料层构成隔离层；

基于所述掩膜层以及所述隔离层进行刻蚀，以形成所述位线接触原始孔。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，

所述形成位线接触材料层，包括：

于所述隔离层表面以及所述位线接触孔内形成所述位线接触材料层；

所述形成位线接触材料层之后，还包括：

去除所述隔离层表面的所述位线接触材料层，剩余的所述位线接触材料层构成位线接触结构。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述衬底上形成隔离材料层之前，还包括：

于所述衬底上形成绝缘材料层；

所述基于所述掩膜层以及所述隔离层进行刻蚀，以形成所述位线接触原始孔，包括：

基于所述掩膜层以及所述隔离层刻蚀所述绝缘材料层，剩余的所述绝缘材料层构成绝缘介质层；

基于所述掩膜层、所述隔离层以及所述绝缘介质层刻蚀所述衬底，以形成所述位线接触原始孔。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质层包括第一氧化层。

7.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述隔离层包括氮化硅层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述位线接触原始孔内填充牺牲掩膜，包括：

于所述掩膜层表面以及所述位线接触原始孔内形成牺牲材料层；

去除所述掩膜层表面的所述牺牲材料层，剩余的所述牺牲材料层构成所述牺牲掩膜。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述掩膜层表面以及所述位线接触原始孔内形成牺牲材料层，包括：

通过流体化学气相沉积法于所述掩膜层表面以及所述位线接触原始孔内沉积所述牺牲材料层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述牺牲掩膜的材料为旋涂碳。