[发明专利]存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110773760.6 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113594094B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 杨蒙蒙;李晓杰;王晓玲 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 陈万青;张颖玲 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种存储器及其制备方法，其中，所述方法包括：提供一衬底；其中，所述衬底包括第一N型有源区和第一P型有源区；形成覆盖所述第一P型有源区的外延层；其中，所述外延层显露所述第一N型有源区；形成覆盖所述第一N型有源区的第一栅介质层，同时形成覆盖所述外延层的第二栅介质层；其中，所述第一栅介质层的厚度和所述第二栅介质层的厚度基本相同；形成覆盖所述第一栅介质层的第一栅极，以形成第一NMOS器件；形成覆盖所述第二栅介质层的第二栅极，以形成第一PMOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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