[发明专利]存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底；其中，所述衬底包括第一N型有源区和第一P型有源区；

形成覆盖所述第一P型有源区的外延层；其中，所述外延层显露所述第一N型有源区；

形成覆盖所述第一N型有源区的第一栅介质层，同时形成覆盖所述外延层的第二栅介质层；其中，所述第一栅介质层的厚度和所述第二栅介质层的厚度基本相同；

形成覆盖所述第一栅介质层的第一栅极，以形成第一NMOS器件；形成覆盖所述第二栅介质层的第二栅极，以形成第一PMOS器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器还包括接口电路，所述接口电路包括第二NMOS器件和第二PMOS器件，所述第二NMOS器件的第二N型有源区和所述第二PMOS器件的第二P型有源区位于所述衬底中；

在形成所述外延层之前，所述方法还包括：

形成覆盖所述第一N型有源区、所述第一P型有源区、所述第二N型有源区和所述第二P型有源区的阻挡层；

去除覆盖所述第一P型有源区的所述阻挡层，直至显露所述第一P型有源区；

所述形成覆盖所述第一P型有源区的外延层，包括：

在去除覆盖所述第一P型有源区的所述阻挡层之后，形成所述外延层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成覆盖所述第一栅介质层和所述第二栅介质层之前，所述方法还包括：

在形成所述外延层后，去除覆盖所述第一N型有源区、所述第二N型有源区和所述第二P型有源区的所述阻挡层；

形成覆盖所述第一N型有源区、所述外延层、所述第二N型有源区和所述第二P型有源区的氧化层；其中，覆盖所述第二N型有源区的所述氧化层形成所述第二NMOS器件的第三栅介质层，覆盖所述第二P型有源区的所述氧化层形成所述第二PMOS器件的第四栅介质层；

去除覆盖所述第一N型有源区和所述外延层的所述氧化层，直至显露第一N型有源区和所述外延层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，覆盖所述外延层的氧化层包括第一部分和第二部分；

所述形成覆盖所述第一N型有源区、所述外延层、所述第二N型有源区和所述第二P型有源区的氧化层，包括：

氧化部分所述外延层，形成所述氧化层的第一部分；

在形成所述第一部分的同时，采用热氧化工艺形成覆盖所述第一N型有源区、所述第二N型有源区和所述第二P型有源区的氧化层，并形成所述第二部分；其中，所述第一部分位于剩余的所述外延层和所述第二部分之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器还包括接口电路，所述接口电路包括第二NMOS器件和第二PMOS器件，所述第二NMOS器件的第二N型有源区和所述第二PMOS器件的第二P型有源区位于所述衬底中；

在形成所述外延层之前，所述方法还包括：

形成覆盖所述第一N型有源区、所述第一P型有源区、所述第二N型有源区和所述第二P型有源区的氧化层；其中，覆盖所述第二N型有源区的所述氧化层形成所述第二NMOS器件的第三栅介质层，覆盖所述第二P型有源区的所述氧化层形成所述第二PMOS器件的第四栅介质层；

去除覆盖所述第一P型有源区的所述氧化层，直至显露所述第一P型有源区；

在形成所述第一栅介质层之前，所述方法还包括：去除覆盖所述第一N型有源区的所述氧化层，直至显露所述第一N型有源区。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层至少包括第一子层和第二子层，所述外延层的组成材料包括硅和锗；

所述形成覆盖所述第一P型有源区的外延层，包括：

形成覆盖所述第一P型有源区的所述第一子层；

形成覆盖所述第一子层的所述第二子层；其中，所述第二子层中硅的质量分数，大于或等于所述第一子层中硅的质量分数。