[发明专利]半导体元件用外延基板和半导体元件在审
| 申请号： | 202110773748.5 | 申请日： | 2016-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN113506777A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 市村干也;前原宗太;仓冈义孝 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;C23C16/34;C30B29/38;H01L21/20;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种抑制漏电流且耐压高的半导体元件用外延基板和半导体元件。在半导体元件用外延基板中，包括：包含掺杂有Zn的GaN的半绝缘性自立基板、与自立基板邻接的包含第13族氮化物的缓冲层、与缓冲层邻接的包含第13族氮化物的沟道层、和夹着沟道层而设置在与缓冲层相反一侧的包含第13族氮化物的势垒层，包含自立基板和缓冲层的第1区域中的一部分为以1×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 元件 外延 | ||
【主权项】：
暂无信息
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