[发明专利]发光器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110757637.5 | 申请日： | 2021-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115588680A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡明达;张杨;陈靖中 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/14;H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种发光器件及其制作方法，该制作方法包括：提供一外延结构；其中，外延结构包括一基板及设于基板上的多个阵列结构；于各阵列结构上覆盖一绝缘层；在绝缘层上形成一导电互连层；其中，导电互连层包括碳纳米管和填充于碳纳米管内部的导电材料；于各阵列结构背离基板的一侧制作电极；透过一激光解离工艺去除导电互连层中的碳纳米管。本申请的发光器件能提升发光效率，省去了制作精密掩膜版的成本，形成的导电材料层不易变性，具有良好的透光性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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