[发明专利]发光器件及其制作方法

说明书

本申请涉及一种发光器件及其制作方法，该制作方法包括：提供一外延结构；其中，外延结构包括一基板及设于基板上的多个阵列结构；于各阵列结构上覆盖一绝缘层；在绝缘层上形成一导电互连层；其中，导电互连层包括碳纳米管和填充于碳纳米管内部的导电材料；于各阵列结构背离基板的一侧制作电极；透过一激光解离工艺去除导电互连层中的碳纳米管。本申请的发光器件能提升发光效率，省去了制作精密掩膜版的成本，形成的导电材料层不易变性，具有良好的透光性。

技术领域

本申请涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制作方法。

背景技术

目前的发光二极管的发光效率较低，其原因为发光二极管的光提取效率较低，限制发光二极管的光提取效率的因素一方面是材料对光线的吸收，另一方面是材料对光线的遮挡。

为了改善上述问题，现有技术中将若干发光二极管组合成阵列的方式，来增加发光效率。但是由于该发光二极管阵列中用于电流扩展的材料通常是氧化物(例如ITO，氧化铟锡)，氧化物受到高能量光线的辐照后会变性，进而影响导电性能。另外，还采用金属作为互连，但是由于金属本身不透光，会遮挡一部分光线，从而进一步降低发光二极管的发光效率。

因此，如何在增加发光效率的同时提升导电性能，降低对光线的遮挡是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光器件及其制作方法，旨在解决如何在增加发光效率的同时提升导电性能，降低对光线的遮挡的问题。

一种发光器件的制作方法，包括：

提供一外延结构；其中，所述外延结构包括一基板及设于所述基板上的多个阵列结构；

于各所述阵列结构上覆盖一绝缘层；

在所述绝缘层上形成一导电互连层；其中，所述导电互连层包括碳纳米管和填充于所述碳纳米管内部的导电材料；

于各所述阵列结构背离所述基板的一侧制作电极；

透过一激光解离工艺去除所述导电互连层中的碳纳米管。

通过形成多个阵列结构，能提升发光效率，通过在绝缘层上形成导电互连层，再去除导电互连层中的碳纳米管，形成导电材料构成的尺寸为纳米级的导电材料层，相比于直接形成纳米级的导电层来说，省去了制作精密掩膜版的成本，形成的导电材料层比传统氧化物更不易变性，纳米级的导电材料层相比于传统的金属图案具有更好的透光性。

可选的，所述在所述绝缘层上形成一导电互连层，包括：

提供一形成有导电互连层的基础载体；其中，所述导电互连层包括碳纳米管和填充于所述碳纳米管内部的导电材料；

将所述基础载体具有所述导电互连层的一侧置于所述绝缘层上方；

从所述基础载体背离所述导电互连层的一侧持续施加压力，直至所述导电互连层与所述绝缘层贴合；去除所述基础载体；

或，

在所述绝缘层上涂覆含有导电互连层的分散液；其中，所述导电互连层包括碳纳米管和填充于所述碳纳米管内部的导电材料；

去除所述分散液，以形成所述导电互连层。

可选的，还包括：

去除所述基板；

将所述外延结构背离所述导电互连层的一侧与一复合衬底粘接；其中，所述复合衬底包括硅衬底和形成于所述硅衬底上的碳纳米管阵列。由于复合衬底中的碳纳米管的导热性能非常高(常温下碳纳米管的热传导率可达3500W/mK，极限情况下可达6000W/mK)，此复合衬底作为散热的外表面，散热效果好，可满足散热要求。同时，复合衬底中的硅衬底还可方便后续做掺杂，以形成各种驱动电路等，可节约制程步骤。