[发明专利]发光器件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一外延结构；其中，所述外延结构包括一基板及设于所述基板上的多个阵列结构；

于各所述阵列结构上覆盖一绝缘层；

在所述绝缘层上形成一导电互连层；其中，所述导电互连层包括碳纳米管和填充于所述碳纳米管内部的导电材料；

于各所述阵列结构背离所述基板的一侧制作电极；

透过一激光解离工艺去除所述导电互连层中的碳纳米管。

2.如权利要求1所述的发光器件的制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上形成一导电互连层，包括：

提供一形成有导电互连层的基础载体；其中，所述导电互连层包括碳纳米管和填充于所述碳纳米管内部的导电材料；

将所述基础载体具有所述导电互连层的一侧置于所述绝缘层上方；

从所述基础载体背离所述导电互连层的一侧持续施加压力，直至所述导电互连层与所述绝缘层贴合；去除所述基础载体；

或，

在所述绝缘层上涂覆含有导电互连层的分散液；其中，所述导电互连层包括碳纳米管和填充于所述碳纳米管内部的导电材料；

去除所述分散液，以形成所述导电互连层。

3.如权利要求1所述的发光器件的制作方法，其特征在于，还包括：

去除所述基板；

将所述外延结构背离所述导电互连层的一侧与一复合衬底粘接；其中，所述复合衬底包括硅衬底和形成于所述硅衬底上的碳纳米管阵列。

4.如权利要求3所述的发光器件的制作方法，其特征在于，所述外延结构背离所述导电互连层的一侧与所述复合衬底透过共晶键合和/或金属键合方式实现粘接。

5.如权利要求4所述的发光器件的制作方法，其特征在于，所述透过共晶键合方式粘接所述外延结构背离所述导电互连层的一侧与所述复合衬底的步骤，包括：

在所述外延结构背离所述导电互连层的一侧形成第一粘接层；

在所述复合衬底具有碳纳米管阵列的一侧形成第二粘接层；

透过所述第一粘接层和所述第二粘接层将所述外延结构背离所述导电互连层的一侧与所述复合衬底粘接。

6.如权利要求4所述的发光器件的制作方法，其特征在于，所述外延结构还包括设于所述基板与所述阵列结构之间的金属电极层；所述透过金属键合方式粘接所述外延结构背离所述导电互连层的一侧与所述复合衬底的步骤，包括：

在所述复合衬底具有碳纳米管阵列的一侧上形成一金属粘接层；

将所述金属电极层和所述金属粘接层以金属键合方式键合。

7.如权利要求1至6任一项所述的发光器件的制作方法，其特征在于，所述透过一激光解离工艺去除所述导电互连层中的碳纳米管，包括：

从所述导电互连层一侧提供一第一预设功率的激光，所述第一预设功率的大小满足使所述导电互连层中的碳纳米管转换为二氧化碳而溢出。

8.如权利要求1至5任一项所述的发光器件的制作方法，其特征在于，所述透过一激光解离工艺去除所述导电互连层中的碳纳米管，包括：

从所述基板一侧提供一第二预设功率的激光，所述第二预设功率的大小满足剥离所述基板，且经由所述阵列结构衰减后使所述导电互连层中的碳纳米管转换为二氧化碳而溢出。

9.一种发光器件，其特征在于，包括：

外延结构；所述外延结构包括一基板及设于所述基板上的多个阵列结构；

绝缘层，所述绝缘层覆盖在多个所述阵列结构上；

导电材料层，覆盖在所述绝缘层上，所述导电材料层经由碳纳米管和填充于所述碳纳米管内部的导电材料构成的导电互连层透过去除所述碳纳米管形成；以及

电极，形成在各个所述阵列结构上。

10.如权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述导电材料层包括多条金属导线，多条所述金属导线为互相平行、互相交叠、不交叠也不平行的任意一种或多种地设置。