[发明专利]半导体存储器结构及其形成方法

摘要

本发明实施例提供一种半导体存储器结构，其包含半导体基板、设置于半导体基板上的位线、设置于位线一侧的介电衬层、设置于半导体基板上的电容接触件、以及设置于半导体基板上的填充件。位线沿着第一方向延伸。介电衬层包含设置于位线的侧壁上的第一氮化物衬层、设置于第一氮化物衬层的侧壁上的氧化物衬层、以及设置于氧化物衬层的侧壁上的第二氮化物衬层。在垂直第一方向的第二方向上，电容接触件借由第一氮化物衬层、氧化物衬层以及第二氮化物衬层与位线间隔。在第二方向上，填充件的宽度大于电容接触件的宽度。本发明实施例亦提供形成一种上述半导体存储器结构的方法。