[发明专利]半导体存储器结构及其形成方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体存储器结构，其包含半导体基板、设置于半导体基板上的位线、设置于位线一侧的介电衬层、设置于半导体基板上的电容接触件、以及设置于半导体基板上的填充件。位线沿着第一方向延伸。介电衬层包含设置于位线的侧壁上的第一氮化物衬层、设置于第一氮化物衬层的侧壁上的氧化物衬层、以及设置于氧化物衬层的侧壁上的第二氮化物衬层。在垂直第一方向的第二方向上，电容接触件借由第一氮化物衬层、氧化物衬层以及第二氮化物衬层与位线间隔。在第二方向上，填充件的宽度大于电容接触件的宽度。本发明实施例亦提供形成一种上述半导体存储器结构的方法。

技术领域

本发明有关于一种半导体存储器结构，且特别是有关于动态随机存取存储器的电容接触件。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)装置广泛地应用于消费性电子产品中。为了增加动态随机存取存储器装置内的器件密度以及改善其整体表现，目前动态随机存取存储器装置的制造技术持续朝向器件尺寸的微缩化而努力。

然而，当器件尺寸持续缩小时，许多挑战随之而生。举例而言，在自对准刻蚀制造工艺中难以清除边角的材料，导致后续形成的电容接触件容易于边角有短路的情形。因此，业界仍需要改进动态随机存取存储器装置的制造方法，以克服器件尺寸缩小所产生的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体存储器结构，其包含半导体基板、设置于半导体基板上的位线、设置于位线一侧的介电衬层、设置于半导体基板上的电容接触件、以及设置于半导体基板上的填充件。位线沿着第一方向延伸。介电衬层包含设置于位线的侧壁上的第一氮化物衬层、设置于第一氮化物衬层的侧壁上的氧化物衬层、以及设置于氧化物衬层的侧壁上的第二氮化物衬层。在垂直第一方向的第二方向上，电容接触件借由第一氮化物衬层、氧化物衬层以及第二氮化物衬层与位线间隔。在第二方向上，填充件的宽度大于电容接触件的宽度。

本发明实施例提供一种半导体存储器结构的形成方法，其包含提供半导体基板；形成多个位线于半导体基板上；形成介电衬层于位线的侧壁上；形成介电材料层于所述多个位线之间；于介电材料层中形成开口，其中开口的侧壁露出部分的第二氮化物衬层；沿着开口的侧壁，侧向(laterally)移除部分的第二氮化物衬层与氧化物衬层，直到露出氧化物衬层；形成填充件于开口中；以及以电容接触件置换剩余的介电材料层。位线沿着第一方向延伸。形成所述介电衬层的步骤包括：形成第一氮化物衬层于位线的侧壁上；形成氧化物衬层于第一氮化物衬层的侧壁上；以及形成第二氮化物衬层于氧化物衬层的侧壁上。

本发明实施例借由移除部分的氮化物衬层与氧化物衬层，可使两两电容接触件在靠近位线处的距离增加，而减少短路的情形。

附图说明

让本发明的特征和优点能更明显易懂，下文特举不同实施例，并配合所附图式作详细说明如下：

图1是根据本发明的一些实施例，绘示形成半导体存储器结构在不同阶段的立体图。

图2是根据本发明的一些实施例，绘示对应于图1中剖线A-A’的半导体存储器结构的剖面图。

图3-图5是根据本发明的一些实施例，绘示形成半导体存储器结构在不同阶段的立体图。

图6是根据本发明的一些实施例，绘示对应于图5的半导体存储器结构的部分俯视图。

图7是根据本发明的一些实施例，绘示形成半导体存储器结构在不同阶段的立体图。

图8是根据本发明的一些实施例，绘示对应于图7的半导体存储器结构的部分俯视图。

图9是根据本发明的一些实施例，绘示形成半导体存储器结构在不同阶段的立体图。

图10是根据本发明的一些实施例，绘示对应于图9的半导体存储器结构的部分俯视图。