[发明专利]半导体存储器结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体存储器结构，其特征在于，包括：

半导体基板；

位线，设置于所述半导体基板上，并沿着第一方向延伸；

介电衬层，设置于所述位线的一侧，其中所述介电衬层包括：

第一氮化物衬层，设置于所述位线的侧壁上；

氧化物衬层，设置于所述第一氮化物衬层的侧壁上；以及

第二氮化物衬层，设置于所述氧化物衬层的侧壁上；

电容接触件，设置于所述半导体基板上，其中在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述电容接触件借由所述第一氮化物衬层、所述氧化物衬层以及所述第二氮化物衬层与所述位线间隔；以及

填充件，设置于所述半导体基板上，其中在所述第二方向上，所述填充件的宽度大于所述电容接触件的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一氮化物衬层为连续设置，且所述氧化物衬层与所述第二氮化物衬层为不连续设置。

3.如权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，在俯视图中，所述填充件具有圆角，其中所述圆角直接接触所述介电衬层。

4.如权利要求3所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述圆角不直接接触所述电容接触件。

5.如权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述填充件与所述电容接触件交错排列。

6.如权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，在所述第二方向上，所述填充件仅借由所述第一氮化物衬层与所述位线间隔。

7.一种半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基板；

形成多个位线于所述半导体基板上，且所述多个位线沿着第一方向延伸；

形成介电衬层于所述多个位线的侧壁上，其中形成所述介电衬层的步骤包括：

形成第一氮化物衬层于所述多个位线的侧壁上；

形成氧化物衬层于所述第一氮化物衬层的侧壁上；以及

形成第二氮化物衬层于所述氧化物衬层的侧壁上；

形成介电材料层于所述多个位线之间；

于所述介电材料层中形成开口，其中所述开口的侧壁露出部分的所述第二氮化物衬层；

沿着所述开口的侧壁，侧向移除部分的所述第二氮化物衬层，直到露出所述氧化物衬层；

形成填充件于所述开口中；以及

以电容接触件置换剩余的所述介电材料层。

8.如权利要求7所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，侧向移除部分的所述第二氮化物衬层的步骤包括沿着与所述第一方向垂直的第二方向扩大所述开口。

9.如权利要求7所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，形成所述介电材料层的步骤包括：

沉积介电材料于所述介电衬层上；以及

平坦化所述介电材料，以形成所述介电材料层，其中所述介电材料层的顶表面与所述介电衬层的顶表面齐平。

10.如权利要求7所述的半导体存储器结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二氮化物衬层的步骤包括：形成所述第二氮化物衬层于所述多个位线的顶表面上、与在所述多个位线之间的半导体基板上；以及

其中形成所述开口的步骤更包括：移除所述多个位线的顶表面上与在所述多个位线之间的所述半导体基板上的所述第二氮化物衬层，以露出所述半导体基板。