[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110684011.6 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN115116977A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 大川直树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 夏斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具备第1导电部、半导体元件、第1端子以及金属层。上述半导体元件设置于上述第1导电部之上。上述第1端子在与从上述第1导电部朝向上述半导体元件的第1方向垂直的第2方向上远离上述第1导电部。上述第1端子包括第1部分以及设置在上述第1部分与上述第1导电部之间的第2部分。上述第2部分的下表面位于比上述第1部分的下表面靠下方的位置，且位于比设置在上述第1导电部与上述第2部分之间的第1绝缘部的下表面靠下方的位置。上述金属层设置于上述第1部分的上述下表面以及上述第2部分的上述下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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