[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具备第1导电部、半导体元件、第1端子以及金属层。上述半导体元件设置于上述第1导电部之上。上述第1端子在与从上述第1导电部朝向上述半导体元件的第1方向垂直的第2方向上远离上述第1导电部。上述第1端子包括第1部分以及设置在上述第1部分与上述第1导电部之间的第2部分。上述第2部分的下表面位于比上述第1部分的下表面靠下方的位置，且位于比设置在上述第1导电部与上述第2部分之间的第1绝缘部的下表面靠下方的位置。上述金属层设置于上述第1部分的上述下表面以及上述第2部分的上述下表面。

本申请享受以日本专利申请2021-44298号(申请日：2021年3月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式一般涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

存在具备半导体元件以及端子的半导体装置。对于该半导体装置，要求提高与安装相关的可靠性。

发明内容

本发明的实施方式提供能够提高安装的可靠性的半导体装置及其制造方法。

根据一个实施方式，半导体装置具备第1导电部、半导体元件、第1端子以及金属层。上述半导体元件设置在上述第1导电部之上。上述第1端子在第2方向上远离上述第1导电部，该第2方向与从上述第1导电部朝向上述半导体元件的第1方向垂直。上述第1端子包括第1部分、以及设置在上述第1部分与上述第1导电部之间的第2部分。上述第2部分的下表面位于比上述第1部分的下表面靠下方的位置，且位于比设置在上述第1导电部与上述第2部分之间的第1绝缘部的下表面靠下方的位置。上述金属层设置于上述第1部分的上述下表面以及上述第2部分的上述下表面。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体装置的平面图。

图2的(a)、(b)是表示实施方式的半导体装置的立体图。

图3的(a)、(b)是表示实施方式的半导体装置的截面图。

图4的(a)、(b)是表示实施方式的半导体装置的截面图。

图5是表示实施方式的半导体装置的制造方法的示意图。

图6是表示实施方式的半导体装置的制造方法的示意图。

图7是表示实施方式的半导体装置的制造方法的示意图。

图8是表示实施方式的半导体装置的制造方法的示意图。

图9是表示实施方式的半导体装置的制造方法的示意图。

图10是表示实施方式的半导体装置的制造方法的示意图。

图11的(a)、(b)是表示参考例以及实施方式的半导体装置的一部分的截面图。

图12的(a)、(b)是表示实施方式的变形例的半导体装置的立体图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。

附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度之间的关系、部分之间的大小比例等并不一定限于与现实情况相同。即便在表示相同部分的情况下，也存在根据附图不同而使彼此的尺寸、比例不同地表示的情况。

在本说明书以及各附图中，对于与已说明过的要素相同的要素赋予相同的符号而适当省略详细说明。

图1是表示实施方式的半导体装置的平面图。图2的(a)以及图2的(b)是表示实施方式的半导体装置的立体图。