[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110666803.0 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113809036A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 佐治真理;柴田雅博;黑川敦 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L27/082;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够提高散热性的半导体装置。在基板上的晶体管及其动作电极上交替地层叠有多个层间绝缘膜和多个导体膜。第一层的层间绝缘膜的开口具有在第一方向上较长的形状，且在俯视时被包含于动作电极。第一层的导体膜通过第一层的层间绝缘膜的开口与动作电极连接。第二层的层间绝缘膜的开口在俯视时被包含于第一层的导体膜。第二层的导体膜通过第二层的层间绝缘膜的开口与第一层的导体膜连接。沿着第一方向对从第一层的层间绝缘膜的开口到第二层的层间绝缘膜的开口的侧面为止的与第一方向正交的第二方向上的距离进行平均后的值在从第一层的层间绝缘膜的开口的上侧开口面到第二层的层间绝缘膜的开口的下侧开口面为止的高度方向上的距离以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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