[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基板；

晶体管，设置在上述基板上；

动作电极，配置在上述晶体管上，并使动作电流流过上述晶体管；以及

多个层间绝缘膜和多个导体膜，交替地层叠在上述晶体管以及上述动作电极上，

在上述多个层间绝缘膜的各个层间绝缘膜设置有开口，

当从上述基板侧观察时，第一层的层间绝缘膜的开口具有在第一方向上较长的形状，并且在俯视时被包含于上述动作电极，

第一层的导体膜在俯视时包含第一层的层间绝缘膜的开口，并且通过第一层的层间绝缘膜的开口与上述动作电极连接，

第二层的层间绝缘膜的开口在俯视时被包含于第一层的导体膜，当从第一层的层间绝缘膜的开口观察与上述第一方向正交的第二方向时，第二层的层间绝缘膜的开口的侧面配置在比第一层的层间绝缘膜的开口的侧面远的位置，

第二层的导体膜在俯视时包含第二层的层间绝缘膜的开口，并且通过第二层的层间绝缘膜的开口与第一层的导体膜连接，

沿着上述第一方向对从第一层的层间绝缘膜的开口到第二层的层间绝缘膜的开口的侧面为止的上述第二方向上的距离进行平均后的值在从第一层的层间绝缘膜的开口的上侧开口面到第二层的层间绝缘膜的开口的下侧开口面为止的高度方向上的距离以上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述多个层间绝缘膜中的所注目的一个层间绝缘膜的开口的上述第二方向上的两端与下层的层间绝缘膜的开口的上述第二方向上的两端相比位于外侧。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

沿着上述第一方向对从上述多个层间绝缘膜中的所注目的一个层间绝缘膜的开口到上一层的层间绝缘膜的开口的侧面为止的上述第二方向上的距离进行平均后的值在从所注目的层间绝缘膜的开口的上侧开口面到上一层的层间绝缘膜的开口的下侧开口面为止的高度方向上的距离以上。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置，其中，还具备：

保护膜，配置在上述多个导体膜中的最上方的导体膜上，并且设置有开口；以及

凸块，配置在上述保护膜的开口中以及上述保护膜上，并且与上述多个导体膜中的最上方的导体膜连接，

在俯视时，上述多个导体膜中的最上方的导体膜的面积比上述凸块的面积大。