[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供能够提高散热性的半导体装置。在基板上的晶体管及其动作电极上交替地层叠有多个层间绝缘膜和多个导体膜。第一层的层间绝缘膜的开口具有在第一方向上较长的形状，且在俯视时被包含于动作电极。第一层的导体膜通过第一层的层间绝缘膜的开口与动作电极连接。第二层的层间绝缘膜的开口在俯视时被包含于第一层的导体膜。第二层的导体膜通过第二层的层间绝缘膜的开口与第一层的导体膜连接。沿着第一方向对从第一层的层间绝缘膜的开口到第二层的层间绝缘膜的开口的侧面为止的与第一方向正交的第二方向上的距离进行平均后的值在从第一层的层间绝缘膜的开口的上侧开口面到第二层的层间绝缘膜的开口的下侧开口面为止的高度方向上的距离以上。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

在主要使用于无线通信设备的功率放大器(Power Amplifier)中，要求输出的提高、小型化等。构成功率放大器的放大元件例如使用异质结双极晶体管(HBT)等晶体管。为了使功率放大器的输出提高，较强地要求散热性的提高。

在下述的专利文献1中公开有能够抑制热应力的半导体装置。在专利文献1所记载的半导体装置中，在基板上形成有HBT，在HBT的发射极电极经由发射极布线以及发射极再布线层连接有凸块。发射极布线以及发射极再布线层成为导热路径，在HBT产生的热从发射极电极通过导热路径传导至凸块。

专利文献1：日本特开2019－149485号公报

伴随着功率放大器的输出的提高，期望进一步提高散热性。

发明内容

本发明的目的在于提供能够提高散热性的半导体装置。

根据本发明的一观点，提供一种半导体装置，具备：

基板；

晶体管，设置在上述基板上；

动作电极，配置在上述晶体管上，并使动作电流流过上述晶体管；以及

多个层间绝缘膜和多个导体膜，交替地层叠在上述晶体管以及上述动作电极上，

在上述多个层间绝缘膜的各个层间绝缘膜设置有开口，

当从上述基板侧观察时，第一层的层间绝缘膜的开口具有在第一方向上较长的形状，并且在俯视时被包含于上述动作电极，

第一层的导体膜在俯视时包含第一层的层间绝缘膜的开口，并且通过第一层的层间绝缘膜的开口与上述动作电极连接，

第二层的层间绝缘膜的开口在俯视时被包含于第一层的导体膜，当从第一层的层间绝缘膜的开口观察与上述第一方向正交的第二方向时，第二层的层间绝缘膜的开口的侧面配置在比第一层的层间绝缘膜的开口的侧面远的位置，

第二层的导体膜在俯视时包含第二层的层间绝缘膜的开口，并且通过第二层的层间绝缘膜的开口与第一层的导体膜连接，

沿着上述第一方向对从第一层的层间绝缘膜的开口到第二层的层间绝缘膜的开口的侧面为止的与上述第一方向正交的第二方向上的距离进行平均后的值在从第一层的层间绝缘膜的开口的上侧开口面到第二层的层间绝缘膜的开口的下侧开口面为止的高度方向上的距离以上。

热从动作电极通过第一层的导体膜传导至第二层的导体膜。通过如上述那样配置第一层的层间绝缘膜的开口以及第二层的层间绝缘膜的开口，能够使热从动作电极通过第一层的导体膜高效地传导至第二层的导体膜。由此，能够提高从晶体管的散热性。

附图说明

图1是第一实施例的半导体装置的示意俯视图。

图2是图1的单点划线2－2处的剖视图。

图3是表示第一实施例的一变形例的半导体装置的多个开口的俯视图。