[发明专利]半导体存储装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110632557.7 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN115132740A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 铃木亮太;小宫谦;北本克征 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11548 | 分类号： | H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王程 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供提高了可靠性的半导体存储装置及其制造方法。根据实施方式，含有：第1配线层(104＿6)；设置于第1配线层之上的第1绝缘层(103＿7)；设置于第1绝缘层之上的第2配线层(104＿7)；设置于第2配线层之上的第2绝缘层(103＿8)；设置于第2绝缘层之上的第3配线层(104＿8)；以及第1柱(LMP)，其穿过第1配线层、第1绝缘层、第2配线层、第2绝缘层及第3配线层，含有第1半导体层(114)。第1阶差大于(W1)大于第2阶差(W2)及第3阶差(W3)，所述第1阶差是与第1柱相对的第1配线层的第1面和与第1柱相对的第1绝缘层的第2面之间的阶差，所述第2阶差是与第1柱相对的第2配线层的第3面和与第1柱相对的第2绝缘层的第4面之间的阶差，所述第3阶差是第4面和与第1柱相对的第3配线层的第5面之间的阶差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
