[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其具备：

第1配线层；

设置于所述第1配线层之上的第1绝缘层；

设置于所述第1绝缘层之上的第2配线层；

设置于所述第2配线层之上的第2绝缘层；

设置于所述第2绝缘层之上的第3配线层；以及

第1柱，其沿第1方向延伸，穿过所述第1配线层、所述第1绝缘层、所述第2配线层、所述第2绝缘层及所述第3配线层，含有第1半导体层，

第1阶差大于第2阶差及第3阶差，所述第1阶差是与所述第1柱相对的所述第1配线层的第1面和与所述第1柱相对的所述第1绝缘层的第2面之间的阶差，所述第2阶差是与所述第1柱相对的所述第2配线层的第3面和与所述第1柱相对的所述第2绝缘层的第4面之间的阶差，所述第3阶差是所述第4面和与所述第1柱相对的所述第3配线层的第5面之间的阶差。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

还具有：

连结部，其设置于所述第1柱之上，含有所述第1半导体层；以及

第2柱，其设置于所述连结部之上，沿所述第1方向延伸，含有所述第1半导体层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

所述第2面、所述第3面、所述第4面、所述第5面以在所述第1方向上成为平坦的方式配置。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，

所述第3配线层在所述第1方向上经由第3绝缘层与所述连结部相邻。

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

所述第3面、所述第4面、所述第5面以在所述第1方向上成为平坦的方式配置，

所述第2面与所述第3面之间的第4阶差大于所述第2阶差及所述第3阶差。

6.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，

所述第3配线层在所述第1方向上与第3绝缘层相接。

7.一种半导体存储装置的制造方法，其中，

在第1配线层之上交替层叠多个第1绝缘层和多个第1牺牲层，

在所述多个第1牺牲层中的最上层的第1牺牲层之上形成第2绝缘层，

形成沿第1方向延伸而穿过所述多个第1绝缘层、所述多个第1牺牲层、所述第2绝缘层且底面到达所述第1配线层的孔，

对露出于所述孔的侧面的所述多个第1牺牲层的侧面进行刻蚀，

形成第2牺牲层，填埋所述孔，

对所述第2牺牲层进行刻蚀直至所述最上层的所述第1牺牲层露出于所述孔的所述侧面，

使第3牺牲层在所述最上层的所述第1牺牲层的所述侧面选择性生长，

在去除所述第2牺牲层后，在所述孔内形成至少含有半导体层的柱，

去除所述第1牺牲层及所述第3牺牲层，

在去除了所述第1牺牲层及所述第3牺牲层的区域形成多个第2配线层。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置的制造方法，其中，

与所述柱相对的所述第3牺牲层的侧面、以及与所述柱相对的所述多个第1绝缘层的最上层的第1绝缘层的侧面，以在所述第1方向上成为平坦的方式配置。