[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110630955.5 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113540020A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 姚欣洁;李忠儒;吕志伟;田希文;廖韦豪;戴羽腾 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括设置在半导体基板上方的互连结构；下层金属线设置在半导体基板上方的第一高度，并延伸穿过第一层间介电层。第二层间介电层设置在半导体基板上方的第二高度并包括第一介电材料。上层金属线设置在半导体基板上方的第三高度。导孔设置在第二高度。导孔在下层金属线和上层金属线之间延伸。保护性介电结构设置在第二高度。保护性介电结构包括保护性介电材料，并且沿着导孔第一组相对侧壁设置，保护性介电材料不同于第一介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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