[发明专利]半导体存储装置

摘要

实施方式提供能够适当地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板；多个第一导电层，在与基板的表面交叉的第一方向上排列；第一半导体层，沿第一方向延伸，与多个第一导电层对置；第一栅极绝缘膜，沿第一方向延伸，覆盖第一半导体层的外周面；第一绝缘层，沿第一方向延伸，外周面被第一半导体层覆盖；以及第二导电层，与多个第一导电层相比距基板远，与第一半导体层的第一方向的一端连接。第一半导体层具备与多个第一导电层对置的第一区域和与第一区域相比距基板远的第二区域。第二导电层与第一半导体层的第二区域的内周面及外周面连接，与第一绝缘层的第一方向的一端接触。