[发明专利]半导体存储装置

说明书

实施方式提供能够适当地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板；多个第一导电层，在与基板的表面交叉的第一方向上排列；第一半导体层，沿第一方向延伸，与多个第一导电层对置；第一栅极绝缘膜，沿第一方向延伸，覆盖第一半导体层的外周面；第一绝缘层，沿第一方向延伸，外周面被第一半导体层覆盖；以及第二导电层，与多个第一导电层相比距基板远，与第一半导体层的第一方向的一端连接。第一半导体层具备与多个第一导电层对置的第一区域和与第一区域相比距基板远的第二区域。第二导电层与第一半导体层的第二区域的内周面及外周面连接，与第一绝缘层的第一方向的一端接触。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2020-146059号(申请日：2020年08月31日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式涉及半导体存储装置。

背景技术

已知有如下半导体存储装置，其具备：基板；多个导电层，在与该基板的表面交叉的方向上层叠；半导体层，与这多个导电层对置；以及栅极绝缘层，设置于导电层与半导体层之间。栅极绝缘层例如具备氮化硅(Si₃N₄)等绝缘性的电荷蓄积层、浮栅等导电性的电荷蓄积层等、能够存储数据的存储器部。

发明内容

实施方式提供一种能够适当地制造的半导体存储装置。

一个实施方式的半导体存储装置具备：基板；多个第一导电层，在与基板的表面交叉的第一方向上排列；第一半导体层，沿第一方向延伸，与多个第一导电层对置；第一栅极绝缘膜，沿第一方向延伸，覆盖第一半导体层的外周面；第一绝缘层，沿第一方向延伸，外周面被第一半导体层覆盖；以及第二导电层，与多个第一导电层相比距基板远，与第一半导体层的第一方向的一端连接。第一半导体层具备与多个第一导电层对置的第一区域和与第一区域相比距基板远的第二区域。第二导电层与第一半导体层的第二区域的内周面及外周面连接，与第一绝缘层的第一方向的一端接触。

附图说明

图1是表示第一实施方式的存储器裸片MD的结构的示意性的立体图。

图2是表示芯片C_M的结构的示意性的仰视图。

图3～图9是表示芯片C_M的一部分结构的示意性的仰视图。

图10～图28是用于说明第一实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性的剖视图。

图29是用于说明第二实施方式的半导体存储装置的结构的示意性的剖视图。

图30、图31是用于说明第二实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性的剖视图。

图32是用于说明第三实施方式的半导体存储装置的结构的示意性的剖视图。

图33是用于说明第三实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性的剖视图。

图34是用于说明第四实施方式的半导体存储装置的制造方法的示意性的剖视图。

附图标记说明

110…导电层，120…半导体层，125…绝缘层，130…栅极绝缘膜，141…导电层，150…导电层。

具体实施方式

接着，参照附图对实施方式的半导体存储装置进行详细说明。另外，以下的实施方式只不过是一个例子，并不是以限定本发明的意图进行表示的。另外，以下的附图是示意性的，为了便于说明，有时省略一部分的结构等。另外，对多个实施方式共通的部分标注相同的附图标记，有时省略说明。