[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

基板；

多个第一导电层，在与所述基板的表面交叉的第一方向上排列；

第一半导体层，沿所述第一方向延伸，与所述多个第一导电层对置；

第一栅极绝缘膜，沿所述第一方向延伸，覆盖所述第一半导体层的外周面；

第一绝缘层，沿所述第一方向延伸，外周面被所述第一半导体层覆盖；以及

第二导电层，与所述多个第一导电层相比距所述基板远，与所述第一半导体层的所述第一方向的一端连接，

所述第一半导体层具备：

第一区域，与所述多个第一导电层对置；以及

第二区域，与所述第一区域相比距所述基板远，

所述第二导电层与所述第一半导体层的第二区域的内周面及外周面连接，与所述第一绝缘层的所述第一方向的一端接触。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，具备：

第二半导体层，沿所述第一方向延伸，与所述多个第一导电层对置；

第二栅极绝缘膜，沿所述第一方向延伸，覆盖所述第二半导体层的外周面；以及

第二绝缘层，沿所述第一方向延伸，外周面被所述第二半导体层覆盖，

所述第二半导体层具备：

第三区域，与所述多个第一导电层对置；以及

第四区域，与所述第三区域相比距所述基板远，

所述第二导电层与所述第二半导体层的第四区域的内周面及外周面连接，与所述第二绝缘层的所述第一方向的一端接触。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，具备：

第一接触件，与所述第一半导体层的所述第一方向上的所述基板侧的端部连接；

第一位线，与所述第一接触件连接；

第二接触件，与所述第二半导体层的所述第一方向上的所述基板侧的端部连接；以及

第二位线，与所述第二接触件连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其中，

具备第三绝缘层，该第三绝缘层与所述多个第一导电层相比距所述基板远，且与所述第二导电层相比距所述基板近，

所述第三绝缘层具备：

第一部分，从所述第一方向观察时与所述多个第一导电层重叠；以及

第二部分，从所述第一方向观察时与所述多个第一导电层不重叠，

所述第二部分在所述第一方向上的厚度小于所述第一部分在所述第一方向上的厚度，或者大于所述第一部分在所述第一方向上的厚度。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其中，具备：

接合焊盘电极，与所述第二导电层相比距所述基板远；以及

第一布线，设置于所述第二导电层与所述接合焊盘电极之间，与所述接合焊盘电极连接。