[发明专利]半导体装置以及其制作方法在审
| 申请号： | 202110558119.0 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN115377181A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡明桦;韩蓉;李明锜;林志谋;洪裕祥;林煜翔;施子琅 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括半导体基底、第一栅极氧化物层以及第一源极/漏极掺杂区。第一栅极氧化物层设置在半导体基底上，第一栅极氧化物层包括主要部分以及边缘部分，且边缘部分具有一倾斜侧壁。第一源极/漏极掺杂区设置在半导体基底中且与第一栅极氧化物层的边缘部分相邻设置。第一源极/漏极掺杂区包括第一部分与第二部分。第一部分在垂直方向上设置在第一栅极氧化物层的边缘部分之下，而第二部分与第一部分相连。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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