[发明专利]半导体装置以及其制作方法在审

申请号：	202110558119.0	申请日：	2021-05-21
公开（公告）号：	CN115377181A	公开（公告）日：	2022-11-22
发明（设计）人：	蔡明桦;韩蓉;李明锜;林志谋;洪裕祥;林煜翔;施子琅	申请（专利权）人：	联华电子股份有限公司
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置及其制作方法
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【说明书】：

本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括半导体基底、第一栅极氧化物层以及第一源极/漏极掺杂区。第一栅极氧化物层设置在半导体基底上，第一栅极氧化物层包括主要部分以及边缘部分，且边缘部分具有一倾斜侧壁。第一源极/漏极掺杂区设置在半导体基底中且与第一栅极氧化物层的边缘部分相邻设置。第一源极/漏极掺杂区包括第一部分与第二部分。第一部分在垂直方向上设置在第一栅极氧化物层的边缘部分之下，而第二部分与第一部分相连。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置以及其制作方法，尤其是涉及一种具有栅极氧化物层的半导体装置以及其制作方法。

背景技术

在集成电路中，晶体管元件常会为了符合不同操作电压的需求而具有不同的结构。举例来说，对应较低操作电压的晶体管可应用于核心元件、输入/输出(I/O)元件等方面，而具有高压处理能力的晶体管则可应用于高电压操作环境中，例如中央处理器电源供应(CPU power supply)、电源管理系统(power management system)、直流/交流转换器(AC/DC converter)以及功率放大器等等。然而，为了在同一晶片或芯片上形成对应不同操作电压的晶体管，常会造成整体制作工艺复杂化且造成不同晶体管的制作工艺之间互相影响，故如何通过结构或/及制作工艺上的设计来改善相关半导体装置的操作表现或/及简化制作工艺步骤为相关领域人士持续研究的方向。

发明内容

本发明提供了一种半导体装置以及其制作方法，利用具有倾斜侧壁的栅极氧化物层改善半导体装置的漏电表现。

本发明的一实施例提供一种半导体装置，其包括一半导体基底、一第一栅极氧化物层以及一第一源极/漏极掺杂区。第一栅极氧化物层设置在半导体基底上。第一栅极氧化物层包括一主要部分与一边缘部分，且边缘部分具有一倾斜侧壁。第一源极/漏极掺杂区设置在半导体基底中且与第一栅极氧化物层的边缘部分相邻设置。第一源极/漏极掺杂区包括一第一部分与一第二部分。第一部分在一垂直方向上设置在第一栅极氧化物层的边缘部分之下，且第二部分与第一部分相连。

本发明的一实施例提供一种半导体装置的制作方法，包括下列步骤。在一半导体基底上形成一第一栅极氧化物层。第一栅极氧化物层包括一主要部分与一边缘部分，且边缘部分具有一倾斜侧壁。在半导体基底中形成一第一源极/漏极掺杂区。第一源极/漏极掺杂区与第一栅极氧化物层的边缘部分相邻设置。第一源极/漏极掺杂区包括一第一部分与一第二部分。第一部分在一垂直方向上设置在第一栅极氧化物层的边缘部分之下，且第二部分与第一部分相连。

附图说明

图1为本发明第一实施例的半导体装置的示意图；

图2为本发明第一实施例的第一晶体管结构的示意图；

图3至图10为本发明一实施例的半导体装置的制作方法示意图，其中

图4为图3之后的制作方法示意图；

图5为图4之后的制作方法示意图；

图6为图5之后的制作方法示意图；

图7为图6之后的制作方法示意图；

图8为图7之后的制作方法示意图；

图9为图8之后的制作方法示意图；以及

图10为图9之后的制作方法示意图；

图11为本发明第二实施例的半导体装置的示意图。