[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202110547437.7 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN115377055A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 翁坤 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张海明;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构，包括：多层金属层和衬底；金属层上设有多个虚拟金属块和至少一个信号线；金属层上的虚拟金属块在垂直于衬底的方向上相互错开；目标信号线在衬底上的投影到第一虚拟金属块在衬底上的投影之间的第一距离，小于或者等于目标信号线在衬底上的投影到第二虚拟金属块在衬底上的投影之间的第二距离；其中，第一虚拟金属块是目标金属层中距离目标信号线最近的虚拟金属块，目标金属层是目标信号线所在金属层；第二虚拟金属块是其他金属层中距离目标信号线最近的虚拟金属块，其他金属层是目标金属层以外的金属层。本方案可减少虚拟金属块之间的寄生电容以及目标信号线上的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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