[发明专利]半导体结构

说明书

本申请提供一种半导体结构，包括：多层金属层和衬底；金属层上设有多个虚拟金属块和至少一个信号线；金属层上的虚拟金属块在垂直于衬底的方向上相互错开；目标信号线在衬底上的投影到第一虚拟金属块在衬底上的投影之间的第一距离，小于或者等于目标信号线在衬底上的投影到第二虚拟金属块在衬底上的投影之间的第二距离；其中，第一虚拟金属块是目标金属层中距离目标信号线最近的虚拟金属块，目标金属层是目标信号线所在金属层；第二虚拟金属块是其他金属层中距离目标信号线最近的虚拟金属块，其他金属层是目标金属层以外的金属层。本方案可减少虚拟金属块之间的寄生电容以及目标信号线上的寄生电容。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种半导体结构。

背景技术

半导体集成电路器件包括部署有图形化金属的金属层，金属层上部分金属用于传输信号，例如：时钟信号、晶体管的控制端信号等。

随着半导体集成电路器件集成密度的增加，特别是在一些复杂的集成电路中，由于金属层上图形化金属产生的寄生效应，对金属层上的信号传输产生了延迟，从而导致半导体集成电路的性能降低。如何降低图形化金属上的寄生效应的影响成为亟待解决的问题。

发明内容

本申请提供一种半导体结构，旨在减少半导体结构中信号线的寄生电容和各个虚拟金属块之间的寄生电容，并保证半导体结构中各层金属层的布线均匀性。

本申请提供一种半导体结构，包括：多层金属层和衬底；

金属层上设有多个虚拟金属块和至少一个信号线；

金属层上的虚拟金属块在垂直于衬底的方向上相互错开；

目标信号线在衬底上的投影到第一虚拟金属块在衬底上的投影之间的第一距离，小于或者等于目标信号线在衬底上的投影到第二虚拟金属块在衬底上的投影之间的第二距离；

其中，第一虚拟金属块是目标金属层中距离目标信号线最近的虚拟金属块，目标金属层是目标信号线所在金属层；

第二虚拟金属块是其他金属层中距离目标信号线最近的虚拟金属块，其他金属层是目标金属层以外的金属层。

在一种实施例中，多层金属层上的虚拟金属块在衬底的投影不重叠。

在一种实施例中，每层金属层上的虚拟金属块呈阵列分布。

在一种实施例中，目标金属层上的虚拟金属块在衬底上的投影矩阵和其他金属层上的虚拟金属块在衬底上的投影矩阵相互交叉布置。

在一种实施例中，目标金属层上的两个相邻的虚拟金属块的投影之间有一个其他金属层上的虚拟金属块的投影。

在一种实施例中，两个相邻的虚拟金属块是位于同一行的相邻虚拟金属块，或者，位于同一列的相邻虚拟金属块。

在一种实施例中，当第二虚拟金属块在衬底上的投影位于目标金属层上两个同一列的相邻虚拟金属块在衬底上的投影之间，第三虚拟金属块在衬底上的投影位于目标金属层上两个同一行的相邻虚拟金属块在衬底上的投影之间；

当第二虚拟金属块在衬底上的投影位于目标金属层上两个同一行的相邻虚拟金属块在衬底上的投影之间，第三虚拟金属块在衬底上的投影位于目标金属层上两个同一列的相邻虚拟金属块在衬底上的投影之间；

其中，第三虚拟金属块是其所在金属层中距离目标信号线最近的虚拟金属块，第三虚拟金属块与第二虚拟金属块位于不同金属层，第三虚拟金属块与第一虚拟金属块位于不同金属层；

两个同一行的相邻虚拟金属块和两个同一列的相邻虚拟金属块均包括第一虚拟金属块。

在一种实施例中，第一虚拟金属块在衬底上的投影与第二虚拟金属块在衬底上的投影相互接触。